IRL1404ZPBF
制造商:
Infineon
制造商物料号#:
IRL1404ZPBF
规格书:
描述:
金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET） TO-220AB Through Hole N-Channel 通道数量:1 230 W 40 V 连续漏极电流（ID）:200 A 110 nC
| 参数项 | 值 |
|---|---|
| 额定电压值（DC） | 40 V |
| 长度 | 10.6426 mm |
| 宽度 | 4.82 mm |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 引脚数量 | 3 |
| 阻值 | 3.1 MΩ |
| 高度 | 8.77 mm |
| 包装方式 | Tube |
| 辐射硬化 | No |
| RoHS | Compliant |
| SVHC达标 | No SVHC |
| 额定电流 | 75 A |
| 寿命周期状态 | Production (Last Updated: 7 months ago) |
| 最大功耗 | 230 W |
| 功耗 | 230 W |
| 阈值电压 | 2.7 V |
| 通道数量 | 1 |
| 输入电容 | 5.08 nF |
| 连续漏极电流（ID） | 200 A |
| 最大漏 - 源导通电阻 | 3.1 mΩ |
| 漏 - 源电压 | 40 V |
| 导通延迟时间 | 19 ns |
| 关断延迟时间 | 30 ns |
| 配置 | Single |
| 下降时间 | 49 ns |
| 上升时间 | 180 ns |
| 双电源电压 | 40 V |
| 栅极电荷 | 110 nC |
| 漏源导通电阻 | 4.7 mΩ |
| 最高结点温度（Tj） | 175 °C |
| 标准Vgs | 2.7 V |
| 恢复时间 | 39 ns |
| 栅 - 源电压 | 16 V |
| 漏 - 源击穿电压 | 40 V |
| 导通状态电阻 | 3.1 mΩ |
| 附表B | 8541290080 |
| 包装数量 | 1000 |
| 栅 - 源阈值电压 | 1.8 V |
| FET类型 | N-Channel |
库存: 487
销售商
pcbx
pcbx单价¥18.61645
总价¥18.61645
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ¥18.61645 | ¥18.61645 |
| 10 | ¥12.73857 | ¥127.38570 |
| 25 | ¥12.32146 | ¥308.03650 |
| 50 | ¥11.91803 | ¥595.90150 |
| 100 | ¥11.52771 | ¥1152.77100 |
| 300 | ¥10.51432 | ¥3154.29600 |
| 500 | ¥9.59015 | ¥4795.07500 |
| 1000 | ¥8.74316 | ¥8743.16000 |