TK22E10N1,S1X(S
制造商:
Toshiba
制造商物料号#:
TK22E10N1,S1X(S
规格书:
描述:
金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET） TO-220-3 Through Hole N-Channel 通道数量:1 72 W 100 V 连续漏极电流（ID）:52 A 28 nC
| 参数项 | 值 |
|---|---|
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装方式 | Tube |
| RoHS | Compliant |
| 功耗 | 72 W |
| 通道数量 | 1 |
| 输入电容 | 1.8 nF |
| 连续漏极电流（ID） | 52 A |
| FET类型 | N-Channel |
| 栅极电荷 | 28 nC |
| 漏源导通电阻 | 11.5 mΩ |
| 栅 - 源电压 | -20 V, 20 V |
| 漏 - 源击穿电压 | 100 V |
| 栅 - 源阈值电压 | 2 V to 4 V |
库存: 514
销售商
pcbx
pcbx单价¥13.17222
总价¥13.17222
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ¥13.17222 | ¥13.17222 |
| 10 | ¥7.43887 | ¥74.38870 |
| 25 | ¥7.43872 | ¥185.96800 |
| 50 | ¥7.43858 | ¥371.92900 |
| 100 | ¥7.43851 | ¥743.85100 |
| 300 | ¥6.10721 | ¥1832.16300 |
| 500 | ¥5.01414 | ¥2507.07000 |
| 1000 | ¥4.93625 | ¥4936.25000 |
| 3000 | ¥4.87774 | ¥14633.22000 |
| 5000 | ¥4.81994 | ¥24099.70000 |